Efectos de la implantación iónica de boro sobre el aislamiento eléctrico entre MESFET's en circuitos integrados de GaAs
| Título | Efectos de la implantación iónica de boro sobre el aislamiento eléctrico entre MESFET's en circuitos integrados de GaAs ;Josep Samitier i Martí ; |
| Lugar de publicación | [Barcelona |
| Editorial | Universitat de Barcelona, Centre de Publicacions, Intercanvi Científic i Extensió Universitaria] |
| Fecha de publicación | 1986 |
| Descripción física o extensión | 54 p. |
| Otras características físicas | gráf. |
| Dimensiones | 22 cm |
| Depósito Legal | B 25614-1986 |
| Tipo de material | [Texto impreso] |
| Nota | Resumen de tesis--Universidad de Barcelona |
Ejemplares disponibles 
| Signatura | 9/180585 |
| Localización | Salón General |
| Sede | Sede de Recoletos |
| Signatura | DL/871194 |
| Localización | Ejemplar de conservación |
| Sede | Sede de Alcalá |
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Tipo
Libro
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