Desarrollo y caracterización de dispositivos P-I-N de silicio amorfo depositados por PECVD
| Título | Desarrollo y caracterización de dispositivos P-I-N de silicio amorfo depositados por PECVD ;José Domingo Santos Rodríguez ; |
| Lugar de publicación | Madrid |
| Editorial | Ciemat |
| Fecha de publicación | 2013 |
| Descripción física o extensión | 1 CD-ROM (370 p.) |
| Dimensiones | 12 cm |
| Depósito Legal | M 14806-2013 |
| Forma del contenido | Texto (visual) |
| Tipo de medio | electrónico |
| ISBN | 978-84-7834-695-0 |
| Nota |
Título tomado de la pantalla del título Incluye referencias bibliográficas e índices |
| Serie | Colección Documentos Ciemat |
| Otros números normalizados | NIPO 721-13-024-5 |
Ejemplares disponibles 
| Signatura | DLCD/31971 |
| Localización | Ejemplar de conservación |
| Sede | Sede de Alcalá |
Tipo
Libro
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